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道德的边计算不同异质结构及其隔离组分材料沿高对称方向的能带。在给定的波包动态模拟中，道德的边电子通过自由模式界面传输，而MoS2层中的深核心水平始终高度占据，绝缘子的深态占据的位置非常小。

计算传输概率（ΔQ）作为所有界面的时间函数：道德的边蓝色的BeO/MoS2，绿色的hBN/MoS2和粉红色的SiC/MoS2。电子穿透速率与给定界面的原子结构直接相关，道德的边可以在密度泛函理论（DFT）框架下高度精确地研究。此外还演示了考虑器件中存在的外部影响的简单方法，道德的边如外部电位和有限温度。

实线表示初始能量等于隔离MoS2单层的CBM，道德的边虚线表示初始能量等于隔离MoS2单层的VBM。在众多二维材料中，道德的边单层MoS2具有独特的性质，如直接带隙、高固有电荷密度、光致发光、谷极化、柔韧性和透明性。

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